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              MOCVD設備(科研型)
              產品型號:
              產品產地:
              發布日期:2020-11-25
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              詳細介紹

              MOCVD設備(科研型)

              產品簡介:

              本系統是應用于化合物半導體-LED/半導體照明等科研領域、用于生長24英寸的Ⅲ-Ⅴ族氮化物、砷化物等的外延片的設備。

              產品特點:

              科研型

              由生長室、氣體控制系統、真空及壓力控制系統、氣源/氣柜系統、計算機控制系統等組成。系統各工藝參數均可由計算機自動控制(獨立的工業控制計算機/ WINDOWS界面)

              主要技術指標:

              u 工藝片規格:研發型,2英寸(1/3/7片)

              u 反應腔溫度:1300

              u 壓力控制:0800Torr連續可調

              u 激光干涉在位生長監測系統

              u 反應氣體:氨氣,硅烷

              u 攜帶氣體/載氣:氫氣,氮氣

              u MO源:三甲基鎵(TMGa),三乙基鎵(TEG),三甲基銦(TMIn), 三甲基鋁(TMAl),二茂基鎂(Cp2Mg),二甲基辛(DMZ)


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