RTP快速退火爐
產品簡介:
快速退火爐是在非常短的時間內,利用紅外熱輻射加熱的原理對硅片直接加熱至400℃~1250℃溫度范圍內的一種半導體熱處理工藝設備。通過燈光輻射型熱源裝置,利用專用燈管組對位于其中間的半導體硅片進行快速加熱來實現穩定的快速上升。
產品特點:
1.精確重復的溫度控制
2.容易保持干凈環境清潔的工藝腔體
3.用戶可根據要求定制工藝氣體,最多可以配置6路氣體
4.工藝過程計算機全自動控制
主要技術指標:
1.硅片尺寸:2~6英寸
2升溫速率:0~100℃/秒可調