PVT法單晶生長爐
簡述：
l 本設備主要用于SIC、ALN單晶材料的生長
l 采用高溫加熱，使原材料在高溫融化
l 各操作參數可通過顯示屏控制
l 本設備具有各種連鎖及安全保護措施，如水溫報警、過流報警等
特點：
n 溫度最高可達2400℃
n 旋轉速度實時顯示
n 加熱器功率實時顯示，定時采樣，顯示功率曲線
n 極限真空≤9.0×10-5Pa
n 停泵關閥12小時后≤10Pa
